نسل دوم فرآیند 3 نانومتری GAA سامسونگ بازدهی 20 درصدی را نشان می‌دهد و اهداف تولید را از دست می‌دهد.

آخرین فناوری تولید نیمه‌رسانای سامسونگ در حال کاهش انتظارات است، زیرا این شرکت در تلاش برای دستیابی به نرخ تولید قابل قبول برای تراشه‌های 3 نانومتری خود است. جدیدترین شایعات حاکی از آن است که هر دو نسخه از فرآیند 3 نانومتری Gate-All-Around (GAA) سامسونگ تراشه های کمتری نسبت به آنچه انتظار می رفت تولید می کنند. اهداف اولیه تعیین شده توسط غول فناوری کره جنوبی دستیابی به نرخ بازگشتی تا 70 درصد در حجم تولید بود. با این حال، اولین تکرار از فناوری “SF3E-3GAE” تنها توانست بین 50-60٪ از تولید قابل دوام را به دست آورد. حتی نگران‌کننده‌تر، عملکرد فرآیند نسل دوم است که طبق گزارش‌ها تنها 20 درصد تراشه‌های قابل استفاده تولید می‌کند، عددی که به‌خوبی از اهداف تولید فاصله دارد. این زمان چالش خاصی را برای سامسونگ ایجاد می کند زیرا مشتریان اصلی شروع به ارزیابی مجدد مشارکت های تولیدی خود می کنند.

کوالکام تصمیم گرفته است که جدیدترین پردازنده های اسنپدراگون 8 الیت خود را منحصراً از طریق امکانات 3 نانومتری رقیب TSMC تولید کند. حتی گویاتر، خروج شرکت های کره جنوبی است که به طور سنتی به سامسونگ وفادار هستند و اکنون به سمت عملیات تولید قابل اعتمادتر TSMC روی آورده اند. در حالی که سامسونگ می تواند ادعا کند که به نقطه عطف ارائه فناوری 3 نانومتری GAA به بازار پیش از فرآیند رقیب N3B TSMC دست یافته است، این پیروزی فنی بدون توانایی تولید انبوه تراشه ها به طور کارآمد، پوچ است. شکاف بین آرزوهای سامسونگ و واقعیت تولید همچنان در حال افزایش است. با این حال، سامسونگ تمرکز خود را به سمت پیشرفت تکنولوژیکی بعدی تغییر داده است. گفته می‌شود که تلاش‌های توسعه حول فرآیند تولید 2 نانومتری افزایش می‌یابد و برنامه‌هایی برای معرفی این فناوری در پردازنده جدید اگزینوس (با اسم رمز “Ulysses”) برای سری گوشی‌های هوشمند Galaxy S27 2027 انجام می‌شود.