SK Hynix قصد دارد تراشههای نسل ششم حافظه با پهنای باند بالا (HBM4) خود را با استفاده از فرآیند 3 نانومتری TSMC تولید کند، که تغییری نسبت به برنامههای اولیه برای استفاده از فناوری 5 نانومتری است. طبق گزارش Korea Economic Daily، این تراشهها در نیمه دوم سال 2025 به NVIDIA تحویل داده میشوند. نمونه اولیه تراشه HBM4 که در ماه مارس توسط SK Hynix راه اندازی شد، دارای انباشتگی عمودی بر روی یک قالب 3 نانومتری است. در مقایسه با قالب پایه 5 نانومتری، انتظار میرود تراشه جدید HBM مبتنی بر 3 نانومتر 20 تا 30 درصد بهبود عملکرد را ارائه دهد. با این حال، تراشه های همه منظوره HBM4 و HBM4E SK Hynix به استفاده از فرآیند 12 نانومتری با همکاری TSMC ادامه خواهند داد.
در حالی که چیپست نسل پنجم HBM3E SK Hynix از فناوری هسته اصلی خود استفاده می کند، این شرکت فناوری 3 نانومتری TSMC را برای HBM4 انتخاب کرده است. انتظار می رود این تصمیم به طور قابل توجهی شکاف عملکرد را با رقیب سامسونگ الکترونیکس که قصد دارد چیپست های HBM4 خود را با استفاده از فرآیند 4 نانومتری تولید کند، افزایش دهد. SK hynix در حال حاضر با حدود 50 درصد سهم بازار جهانی HBM را رهبری می کند و بیشتر محصولات HBM آن به NVIDIA واگذار شده است.
