طبق گزارش مجله کره ای هانکیونگ، سامسونگ در حال آماده شدن برای عرضه نسل نهم حافظه V-NAND (فلش سه بعدی NAND) در ماه آینده است. انتظار می رود که نسل نهم حافظه فلش سه بعدی NAND سامسونگ دارای 290 لایه باشد که یک پله بالاتر از نسل هشتم V-NAND 236 لایه ای است که این شرکت در سال 2022 معرفی کرد. گزارش شده است که سامسونگ به تراکم انباشته عمودی 290 لایه از طریق بهبودها دست یافته است. تکنیک های انباشته لایه فلش بر اساس افزایش تعداد لایه ها از طریق اسلات های حافظه بیشتر در لایه فلش است. هزینه در اینجا چگالی داده در هر تراشه است، اما نشان دهنده سود خالص از افزایش تعداد لایه ها است.
همان منبع پشت داستان نسل نهم V-NAND همچنین نشان می دهد که این شرکت قصد دارد تا اوایل سال 2025 را برای جانشین خود – نسل دهم V-NAND عرضه کند. انتظار میرود که 430 لایه فلاش سه بعدی NAND باشد که نشاندهنده جهش 140 لایهای در مقایسه با نسل نهم (که خود 54 لایه نسبت به نسل قبلی خود پرش داشت) است. این امر سامسونگ را در کنار رقبای خود، Kioxia، SK Hynix، Micron Technology و YMTC در مسیر خود قرار خواهد داد، زیرا آنها به دنبال هدف بلندپروازانه 1000 لایه 3D NAND فلاش تا سال 2030 هستند.
با تشکر فراوان از TumbleGeorge برای این نکته.